Rasero Causil, D. A., Portacio, A. A., & Suescun , D. (2021). Electronic Structure of GaAs and AlAs using a Hamiltonian Tight-Binding sp3s∗. Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia.
Cytowanie według stylu Chicago (wyd. 17)Rasero Causil, Diego Alejandro, Alfonso A. Portacio, i Daniel Suescun. Electronic Structure of GaAs and AlAs Using a Hamiltonian Tight-Binding Sp3s∗. Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia, 2021.
Cytowanie według stylu MLA (wyd. 9)Rasero Causil, Diego Alejandro, et al. Electronic Structure of GaAs and AlAs Using a Hamiltonian Tight-Binding Sp3s∗. Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia, 2021.
Uwaga: Te cytaty mogą odróżniać się od wytycznej twojego fakultetu..