Electronic Structure of GaAs and AlAs using a Hamiltonian Tight-Binding sp3s∗
We calculate the electronic states in volume for GaAs and AlAs in Zinc-Blenda structure using the Tight-Binding (TB) method. The TB Hamiltonian was constructed using a base of s, p and s∗ orbitals. Thes∗ orbitals represent excited states with equal symmetry as the s orbitals. Carrying out the numeri...
Hoofdauteurs: | Rasero Causil, Diego Alejandro, Portacio, Alfonso A., Suescun , Daniel |
---|---|
Formaat: | Online |
Taal: | spa |
Gepubliceerd in: |
Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
2021
|
Onderwerpen: | |
Online toegang: | https://revistas.uptc.edu.co/index.php/ciencia_en_desarrollo/article/view/12612 |
- Gelijkaardige items
-
Ga Concentration Effect on the CuIn1-xGaxSe2 Electronic Properties
door: Rasero Causil, D. A., et al.
Gepubliceerd in: (2016) -
Procesos de colisión en partículas elementales
door: Cárdenas Ramírez, Herberth Jesús
Gepubliceerd in: (2016) -
Particulate Matter Dispersion (PM10), with interrelation of topographic and meteorological factors
door: Arrieta-Fuentes, Alvaro Javier
Gepubliceerd in: (2016) -
Electromagnetic wave scatteringin vegetal coverage’s
door: Jiménez-López, Andrés Fernando
Gepubliceerd in: (2010) -
Hacia una cultura estadística : aprendizaje de las medidas de dispersión en un contexto rural
door: Rojas Ortigoza, Alba Bibiana
Gepubliceerd in: (2024)