Electronic Structure of GaAs and AlAs using a Hamiltonian Tight-Binding sp3s∗
We calculate the electronic states in volume for GaAs and AlAs in Zinc-Blenda structure using the Tight-Binding (TB) method. The TB Hamiltonian was constructed using a base of s, p and s∗ orbitals. Thes∗ orbitals represent excited states with equal symmetry as the s orbitals. Carrying out the numeri...
Những tác giả chính: | Rasero Causil, Diego Alejandro, Portacio, Alfonso A., Suescun , Daniel |
---|---|
Định dạng: | Online |
Ngôn ngữ: | spa |
Được phát hành: |
Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
2021
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://revistas.uptc.edu.co/index.php/ciencia_en_desarrollo/article/view/12612 |
- Những quyển sách tương tự
-
Ga Concentration Effect on the CuIn1-xGaxSe2 Electronic Properties
Bằng: Rasero Causil, D. A., et al.
Được phát hành: (2016) -
Procesos de colisión en partículas elementales
Bằng: Cárdenas Ramírez, Herberth Jesús
Được phát hành: (2016) -
Particulate Matter Dispersion (PM10), with interrelation of topographic and meteorological factors
Bằng: Arrieta-Fuentes, Alvaro Javier
Được phát hành: (2016) -
Electromagnetic wave scatteringin vegetal coverage’s
Bằng: Jiménez-López, Andrés Fernando
Được phát hành: (2010) -
Hacia una cultura estadística : aprendizaje de las medidas de dispersión en un contexto rural
Bằng: Rojas Ortigoza, Alba Bibiana
Được phát hành: (2024)