Closed equations for the design of class f amplifiers
This paper shows a methodology for designing class F amplifiers based on closed equations that allow the direct calculation of the output matching network. For the sake of proving, a prototype has been carried out using the Cree´s device GaN HEMT CGH40010, obtaining a maximum drain efficiency of 65...
প্রধান লেখক: | Moreno-Rubio, Jorge Julián, Rodríguez-Mora, Javier Francisco, Cely-Angarita, Nydia Esperanza, Angarita-Malaver, Edison Ferney |
---|---|
বিন্যাস: | Online |
ভাষা: | spa |
প্রকাশিত: |
Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
2015
|
বিষয়গুলি: | |
অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://revistas.uptc.edu.co/index.php/investigacion_duitama/article/view/3267 |
অনুরূপ উপাদানগুলি
- অনুরূপ উপাদানগুলি
-
GaN-based Power amplifiers for microwave applications
অনুযায়ী: Moreno-Rubio, Jorge Julián, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2017) -
Waveform measurement in mocrowave device characterization: impact on power amplifiers design
অনুযায়ী: Quaglia, Roberto, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2016) -
The Doherty Power Amplifier with pre-amplification stage
অনুযায়ী: Tinjacá-Soler, Jonathan Javier, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2015) -
Compact model with physical parameter prediction capability for RF amplifiers
অনুযায়ী: Rafael-Valdivia, Guillermo
প্রকাশিত: (2019) -
LNA A 1.9 GHZ low noise amplifier
অনুযায়ী: Moreno-Rubio, Jorge Julián, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2006)