Closed equations for the design of class f amplifiers
This paper shows a methodology for designing class F amplifiers based on closed equations that allow the direct calculation of the output matching network. For the sake of proving, a prototype has been carried out using the Cree´s device GaN HEMT CGH40010, obtaining a maximum drain efficiency of 65...
Հիմնական հեղինակներ: | Moreno-Rubio, Jorge Julián, Rodríguez-Mora, Javier Francisco, Cely-Angarita, Nydia Esperanza, Angarita-Malaver, Edison Ferney |
---|---|
Ձևաչափ: | Online |
Լեզու: | spa |
Հրապարակվել է: |
Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
2015
|
Խորագրեր: | |
Առցանց հասանելիություն: | https://revistas.uptc.edu.co/index.php/investigacion_duitama/article/view/3267 |
- Նմանատիպ նյութեր
-
GaN-based Power amplifiers for microwave applications
: Moreno-Rubio, Jorge Julián, և այլն
Հրապարակվել է: (2017) -
Waveform measurement in mocrowave device characterization: impact on power amplifiers design
: Quaglia, Roberto, և այլն
Հրապարակվել է: (2016) -
The Doherty Power Amplifier with pre-amplification stage
: Tinjacá-Soler, Jonathan Javier, և այլն
Հրապարակվել է: (2015) -
Compact model with physical parameter prediction capability for RF amplifiers
: Rafael-Valdivia, Guillermo
Հրապարակվել է: (2019) -
LNA A 1.9 GHZ low noise amplifier
: Moreno-Rubio, Jorge Julián, և այլն
Հրապարակվել է: (2006)