Closed equations for the design of class f amplifiers
This paper shows a methodology for designing class F amplifiers based on closed equations that allow the direct calculation of the output matching network. For the sake of proving, a prototype has been carried out using the Cree´s device GaN HEMT CGH40010, obtaining a maximum drain efficiency of 65...
Những tác giả chính: | Moreno-Rubio, Jorge Julián, Rodríguez-Mora, Javier Francisco, Cely-Angarita, Nydia Esperanza, Angarita-Malaver, Edison Ferney |
---|---|
Định dạng: | Online |
Ngôn ngữ: | spa |
Được phát hành: |
Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
2015
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://revistas.uptc.edu.co/index.php/investigacion_duitama/article/view/3267 |
- Những quyển sách tương tự
-
GaN-based Power amplifiers for microwave applications
Bằng: Moreno-Rubio, Jorge Julián, et al.
Được phát hành: (2017) -
Waveform measurement in mocrowave device characterization: impact on power amplifiers design
Bằng: Quaglia, Roberto, et al.
Được phát hành: (2016) -
The Doherty Power Amplifier with pre-amplification stage
Bằng: Tinjacá-Soler, Jonathan Javier, et al.
Được phát hành: (2015) -
Compact model with physical parameter prediction capability for RF amplifiers
Bằng: Rafael-Valdivia, Guillermo
Được phát hành: (2019) -
LNA A 1.9 GHZ low noise amplifier
Bằng: Moreno-Rubio, Jorge Julián, et al.
Được phát hành: (2006)