Cálculo de la estructura electrónica de la superred (GaN)4(RuN)4. (Calculation of the Electronic Structure of (GaN)4(RuN)4 Superlattice.)
ResumenSe investigaron las propiedades estructurales y electrónicas de la superred de periodo corto (GaN)4(RuN)4calculadas en estructura wurtzita con orientación (0001), usando un cálculo de primeros principios dentro dela DFT (Density Functional Teory). Se utilizó el método FP-LAPW (Full Potential...
Հիմնական հեղինակներ: | Espitia R., M. J., Casiano Jiménez, G., Ortega López, C. |
---|---|
Ձևաչափ: | Online |
Լեզու: | spa |
Հրապարակվել է: |
Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
2015
|
Խորագրեր: | |
Առցանց հասանելիություն: | https://revistas.uptc.edu.co/index.php/ciencia_en_desarrollo/article/view/3673 |
- Նմանատիպ նյութեր
-
Quantum characterization of materials using the density functional theory
: Uribe-Suárez, Carlos Alberto, և այլն
Հրապարակվել է: (2014) -
Transiciones de Fase Inducidas por Presión en los Compuestos GaN, InN y AlN / Phase Transitions Induced by Pressure in the Compounds GaN, InN and AlN
: Rasero Causil, Diego Alejandro, և այլն
Հրապարակվել է: (2017) -
GaN-based Power amplifiers for microwave applications
: Moreno-Rubio, Jorge Julián, և այլն
Հրապարակվել է: (2017) -
Propiedades estructurales y electrónicas del Ti calculadas mediante la DFT
: Puerto, María, և այլն
Հրապարակվել է: (2013) -
Estudio teórico de las reacciones Diels-Alder utilizando plantillas de antraceno a través del uso de orbitales de frontera. (A Diels-Alder Reaction Theoretical Study, by using Quiral Anthracene Groups, Through the Frontier Orbitals Usage.)
: Vivas Reyes, R., և այլն
Հրապարակվել է: (2015)