Ga Concentration Effect on the CuIn1-xGaxSe2 Electronic Properties

This paper reports some calculations of the electronic properties of CuIn1-xGaxSe2 (x = 0.0, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1.0) compound, by using the Tight-Binding (TB) method and Virtual Crystal Approximation (VCA). It is considered the ideal case and with the tetragonal () and anionic ()...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Rasero Causil, D. A., Portacio Lamadrid, A. A., Rodríguez, J. A.
Định dạng: Online
Ngôn ngữ:spa
Được phát hành: Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia 2016
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:https://revistas.uptc.edu.co/index.php/ciencia_en_desarrollo/article/view/4225

Những quyển sách tương tự