Transiciones de Fase Inducidas por Presión en los Compuestos GaN, InN y AlN / Phase Transitions Induced by Pressure in the Compounds GaN, InN and AlN
Realizamos un estudio de las transiciones de fase estructurales de los nitruros III-V GaN, InN y AlN empleando el método de ondas planas aumentadas y linealizadas en la formulación de potencial completo (FP:LAPW) dentro del marco de la teoría del funcional de la densidad (DFT). Para el potencial de...
Հիմնական հեղինակներ: | Rasero Causil, Diego Alejandro, Miranda Saenz, Tatiana Sofia, Ortega López, César |
---|---|
Ձևաչափ: | Online |
Լեզու: | spa |
Հրապարակվել է: |
Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
2017
|
Խորագրեր: | |
Առցանց հասանելիություն: | https://revistas.uptc.edu.co/index.php/ciencia_en_desarrollo/article/view/4361 |
- Նմանատիպ նյութեր
-
Cálculo de la estructura electrónica de la superred (GaN)4(RuN)4. (Calculation of the Electronic Structure of (GaN)4(RuN)4 Superlattice.)
: Espitia R., M. J., և այլն
Հրապարակվել է: (2015) -
GaN-based Power amplifiers for microwave applications
: Moreno-Rubio, Jorge Julián, և այլն
Հրապարակվել է: (2017) -
Mechanical, tribological and corrosive characterization of TiN, ZrN and (TiN/ZrN) multilayers coatings deposited by reactive magnetron sputtering
: Solís, J., և այլն
Հրապարակվել է: (2021) -
N19. Historia en construcción
: Vilar , Pierre
Հրապարակվել է: (2022) -
N35. Portada y Contenidos
: Guerrero Barón , Javier, և այլն
Հրապարակվել է: (2022)