Transiciones de Fase Inducidas por Presión en los Compuestos GaN, InN y AlN / Phase Transitions Induced by Pressure in the Compounds GaN, InN and AlN
Realizamos un estudio de las transiciones de fase estructurales de los nitruros III-V GaN, InN y AlN empleando el método de ondas planas aumentadas y linealizadas en la formulación de potencial completo (FP:LAPW) dentro del marco de la teoría del funcional de la densidad (DFT). Para el potencial de...
Những tác giả chính: | Rasero Causil, Diego Alejandro, Miranda Saenz, Tatiana Sofia, Ortega López, César |
---|---|
Định dạng: | Online |
Ngôn ngữ: | spa |
Được phát hành: |
Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
2017
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://revistas.uptc.edu.co/index.php/ciencia_en_desarrollo/article/view/4361 |
- Những quyển sách tương tự
-
Cálculo de la estructura electrónica de la superred (GaN)4(RuN)4. (Calculation of the Electronic Structure of (GaN)4(RuN)4 Superlattice.)
Bằng: Espitia R., M. J., et al.
Được phát hành: (2015) -
GaN-based Power amplifiers for microwave applications
Bằng: Moreno-Rubio, Jorge Julián, et al.
Được phát hành: (2017) -
Mechanical, tribological and corrosive characterization of TiN, ZrN and (TiN/ZrN) multilayers coatings deposited by reactive magnetron sputtering
Bằng: Solís, J., et al.
Được phát hành: (2021) -
N19. Historia en construcción
Bằng: Vilar , Pierre
Được phát hành: (2022) -
N35. Portada y Contenidos
Bằng: Guerrero Barón , Javier, et al.
Được phát hành: (2022)