Ga Concentration Effect on the CuIn1-xGaxSe2 Electronic Properties
This paper reports some calculations of the electronic properties of CuIn1-xGaxSe2 (x = 0.0, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1.0) compound, by using the Tight-Binding (TB) method and Virtual Crystal Approximation (VCA). It is considered the ideal case and with the tetragonal () and anionic ()...
| Հիմնական հեղինակներ: | , , |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Online |
| Լեզու: | spa |
| Հրապարակվել է: |
Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
2016
|
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | https://revistas.uptc.edu.co/index.php/ciencia_en_desarrollo/article/view/4225 |
