Transiciones de Fase Inducidas por Presión en los Compuestos GaN, InN y AlN / Phase Transitions Induced by Pressure in the Compounds GaN, InN and AlN
Realizamos un estudio de las transiciones de fase estructurales de los nitruros III-V GaN, InN y AlN empleando el método de ondas planas aumentadas y linealizadas en la formulación de potencial completo (FP:LAPW) dentro del marco de la teoría del funcional de la densidad (DFT). Para el potencial de...
প্রধান লেখক: | Rasero Causil, Diego Alejandro, Miranda Saenz, Tatiana Sofia, Ortega López, César |
---|---|
বিন্যাস: | Online |
ভাষা: | spa |
প্রকাশিত: |
Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
2017
|
বিষয়গুলি: | |
অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://revistas.uptc.edu.co/index.php/ciencia_en_desarrollo/article/view/4361 |
অনুরূপ উপাদানগুলি
- অনুরূপ উপাদানগুলি
-
Cálculo de la estructura electrónica de la superred (GaN)4(RuN)4. (Calculation of the Electronic Structure of (GaN)4(RuN)4 Superlattice.)
অনুযায়ী: Espitia R., M. J., অন্যান্য
প্রকাশিত: (2015) -
GaN-based Power amplifiers for microwave applications
অনুযায়ী: Moreno-Rubio, Jorge Julián, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2017) -
Mechanical, tribological and corrosive characterization of TiN, ZrN and (TiN/ZrN) multilayers coatings deposited by reactive magnetron sputtering
অনুযায়ী: Solís, J., অন্যান্য
প্রকাশিত: (2021) -
N19. Historia en construcción
অনুযায়ী: Vilar , Pierre
প্রকাশিত: (2022) -
N35. Portada y Contenidos
অনুযায়ী: Guerrero Barón , Javier, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2022)