Improvements of the Design Process in the Microwave Transistors Industry
This paper presents a technique to improve the design process of microwave transistors based on two aspects: an improved design of experiment test (DOE), and an electro-thermal enhanced model (MET). The DOE test allowed us to center the design through variations in specific parameters, avoiding comp...
Հիմնական հեղինակ: | Rafael-Valdivia, Guillermo |
---|---|
Ձևաչափ: | Online |
Լեզու: | spa |
Հրապարակվել է: |
Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
2019
|
Խորագրեր: | |
Առցանց հասանելիություն: | https://revistas.uptc.edu.co/index.php/ingenieria/article/view/9784 |
- Նմանատիպ նյութեր
-
Compact model with physical parameter prediction capability for RF amplifiers
: Rafael-Valdivia, Guillermo
Հրապարակվել է: (2019) -
Design and implementation of a power amplifier rf at 1.748GHz- Area of engineering
: Moreno-Rubio, Jorge Julián, և այլն
Հրապարակվել է: (2007) -
Waveform measurement in mocrowave device characterization: impact on power amplifiers design
: Quaglia, Roberto, և այլն
Հրապարակվել է: (2016) -
GaN-based Power amplifiers for microwave applications
: Moreno-Rubio, Jorge Julián, և այլն
Հրապարակվել է: (2017) -
Closed equations for the design of class f amplifiers
: Moreno-Rubio, Jorge Julián, և այլն
Հրապարակվել է: (2015)